MCMN2012 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCMN2012  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: DFN2020-6J

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MCMN2012 datasheet

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MCMN2012

MCMN2012 Features TrenchFET Power MOSFET Epoxy meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free. Green Device (Note 1) Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) N-Channel MOSFET Maximum Ratings DFN2020-6J Operating Junction Temperature Range -55oC to +150oC Storage

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