MCMN2012 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCMN2012
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2020-6J
Búsqueda de reemplazo de MCMN2012 MOSFET
MCMN2012 Datasheet (PDF)
mcmn2012.pdf

MCMN2012Features TrenchFET Power MOSFET Epoxy meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free. Green Device (Note 1) Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHSCompliant. See ordering information) N-Channel MOSFETMaximum RatingsDFN2020-6J Operating Junction Temperature Range : -55oC to +150oC Storage
Otros transistores... MCG04N10A , MCG10P03 , MCG16N15 , MCG20N08 , MCG30N03 , MCG30N03A , MCG40N03 , MCG50N03 , IRF630 , MCP07N65 , MCP20N70 , MCPF07N65 , MCQ03N06 , MCQ15N10B , MCQ15N10Y , MCQ4407 , MCQ4407B .
History: HGP098N10A | DMTH6009LK3 | AP02N60I | 2N4351 | QM3002S | SIR410DP | BUK138-50DL
History: HGP098N10A | DMTH6009LK3 | AP02N60I | 2N4351 | QM3002S | SIR410DP | BUK138-50DL



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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