MCMN2012 Todos los transistores

 

MCMN2012 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MCMN2012
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2020-6J
 

 Búsqueda de reemplazo de MCMN2012 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MCMN2012 datasheet

 ..1. Size:893K  mcc
 mcmn2012.pdf pdf_icon

MCMN2012

MCMN2012 Features TrenchFET Power MOSFET Epoxy meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free. Green Device (Note 1) Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) N-Channel MOSFET Maximum Ratings DFN2020-6J Operating Junction Temperature Range -55oC to +150oC Storage

Otros transistores... MCG04N10A , MCG10P03 , MCG16N15 , MCG20N08 , MCG30N03 , MCG30N03A , MCG40N03 , MCG50N03 , IRF640N , MCP07N65 , MCP20N70 , MCPF07N65 , MCQ03N06 , MCQ15N10B , MCQ15N10Y , MCQ4407 , MCQ4407B .

 

 
Back to Top

 


 
.