MCMN2012 Todos los transistores

 

MCMN2012 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCMN2012

Código: N2012

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 20 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 10 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 1 V

Carga de compuerta (Qg): 32(max) nC

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 650 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.015 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN2020-6J

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MCMN2012 Datasheet (PDF)

0.1. mcmn2012.pdf Size:893K _mcc

MCMN2012
MCMN2012

MCMN2012Features TrenchFET Power MOSFET Epoxy meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free. Green Device (Note 1) Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHSCompliant. See ordering information) N-Channel MOSFETMaximum RatingsDFN2020-6J Operating Junction Temperature Range : -55oC to +150oC Storage

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