Справочник MOSFET. MCMN2012

 

MCMN2012 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCMN2012
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6J
 

 Аналог (замена) для MCMN2012

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCMN2012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:893K  mcc
 mcmn2012.pdf pdf_icon

MCMN2012

MCMN2012Features TrenchFET Power MOSFET Epoxy meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free. Green Device (Note 1) Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHSCompliant. See ordering information) N-Channel MOSFETMaximum RatingsDFN2020-6J Operating Junction Temperature Range : -55oC to +150oC Storage

Другие MOSFET... MCG04N10A , MCG10P03 , MCG16N15 , MCG20N08 , MCG30N03 , MCG30N03A , MCG40N03 , MCG50N03 , IRF630 , MCP07N65 , MCP20N70 , MCPF07N65 , MCQ03N06 , MCQ15N10B , MCQ15N10Y , MCQ4407 , MCQ4407B .

History: ECH8661 | IRF7809AV | FKP252 | CEP840A | CTU10P060 | BS170RLRMG | NTZD3158P

 

 
Back to Top

 


 
.