Справочник MOSFET. MCMN2012

 

MCMN2012 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: MCMN2012

Маркировка: N2012

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 32(max) nC

Время нарастания (tr): 10 ns

Выходная емкость (Cd): 650 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm

Тип корпуса: DFN2020-6J

Аналог (замена) для MCMN2012

 

 

MCMN2012 Datasheet (PDF)

0.1. mcmn2012.pdf Size:893K _mcc

MCMN2012
MCMN2012

MCMN2012Features TrenchFET Power MOSFET Epoxy meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free. Green Device (Note 1) Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHSCompliant. See ordering information) N-Channel MOSFETMaximum RatingsDFN2020-6J Operating Junction Temperature Range : -55oC to +150oC Storage

Другие MOSFET... CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , IRFZ44A , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , CEM3407L , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 .

 

 
Back to Top