MCMN2012 - описание и поиск аналогов

 

MCMN2012. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCMN2012

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: DFN2020-6J

Аналог (замена) для MCMN2012

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCMN2012 даташит

 ..1. Size:893K  mcc
 mcmn2012.pdf pdf_icon

MCMN2012

MCMN2012 Features TrenchFET Power MOSFET Epoxy meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free. Green Device (Note 1) Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) N-Channel MOSFET Maximum Ratings DFN2020-6J Operating Junction Temperature Range -55oC to +150oC Storage

Другие MOSFET... MCG04N10A , MCG10P03 , MCG16N15 , MCG20N08 , MCG30N03 , MCG30N03A , MCG40N03 , MCG50N03 , IRF640N , MCP07N65 , MCP20N70 , MCPF07N65 , MCQ03N06 , MCQ15N10B , MCQ15N10Y , MCQ4407 , MCQ4407B .

History: FDMS8333L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.