MCU05N60A Todos los transistores

 

MCU05N60A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MCU05N60A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

MCU05N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  mcc
 mcu05n60a.pdf pdf_icon

MCU05N60A

Features

 ..2. Size:295K  inchange semiconductor
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MCU05N60A

isc N-Channel MOSFET Transistor MCU05N60AFEATURESDrain Current : I = 4.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.5(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

 6.1. Size:479K  mcc
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MCU05N60A

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History: NCE65TF099F | P06P03LDG

 

 
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