MCU05N60A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MCU05N60A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 90 max ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 72 max pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для MCU05N60A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MCU05N60A даташит
mcu05n60a.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor MCU05N60A FEATURES Drain Current I = 4.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.5 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.
Другие MOSFET... MCQ4559 , MCQ4953 , MCQ6005 , MCS2305B , MCT04N10 , MCT04N15 , MCT04P06 , MCT06P10 , 2N7002 , MCU09N20 , MCU12P10 , MCU18N20 , MCU18P10 , MCU20N06 , MCU20N06A , MCU20N06B , MCU20N15 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor


