MCU40N10 Todos los transistores

 

MCU40N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MCU40N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

MCU40N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:862K  mcc
 mcu40n10.pdf pdf_icon

MCU40N10

MCU40N10Features High Density Cell Desihn for Ultra Low RDS(on) Ultra Low Gate Charge Low Reverse Transfer Capacitance Excellent Package for Good Heat DissipationN-CHANNEL Fully Characterized Avalanche Voltage and CurrentMOSFET Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STV160NF03LAT4 | FDMS3660AS | KRF7343 | MS65R360F | UT20N03 | S68N08ZRN | WPM4801

 

 
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