Справочник MOSFET. MCU40N10

 

MCU40N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCU40N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MCU40N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCU40N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:862K  mcc
mcu40n10.pdfpdf_icon

MCU40N10

MCU40N10Features High Density Cell Desihn for Ultra Low RDS(on) Ultra Low Gate Charge Low Reverse Transfer Capacitance Excellent Package for Good Heat DissipationN-CHANNEL Fully Characterized Avalanche Voltage and CurrentMOSFET Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix

Другие MOSFET... MCU12P10 , MCU18N20 , MCU18P10 , MCU20N06 , MCU20N06A , MCU20N06B , MCU20N15 , MCU20P10 , IRFB3607 , MCU60N04A , MCU80N06A , MSJAC11N65Y , MSJU11N65 , SI1012 , SI2101 , SI2310A , SI2310B .

History: AP2531GY | 2SK3353-S | AOSS32128 | IAUC100N08S5N043 | IRFP4232PBF | IPW60R105CFD7 | AOSP21321

 

 
Back to Top

 


 
.