MCU40N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MCU40N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 94 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 290 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.017 Ohm
Тип корпуса: TO252
MCU40N10 Datasheet (PDF)
mcu40n10.pdf
MCU40N10Features High Density Cell Desihn for Ultra Low RDS(on) Ultra Low Gate Charge Low Reverse Transfer Capacitance Excellent Package for Good Heat DissipationN-CHANNEL Fully Characterized Avalanche Voltage and CurrentMOSFET Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C