MSJAC11N65Y Todos los transistores

 

MSJAC11N65Y MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSJAC11N65Y
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5060
 

 Búsqueda de reemplazo de MSJAC11N65Y MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MSJAC11N65Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:908K  mcc
 msjac11n65y.pdf pdf_icon

MSJAC11N65Y

MSJAC11N65YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 650 VIGSS VDS=0V, VGS =30VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=650V, VGS=0V1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=650V, VGS=0V, TJ=150C100VGS(th) VDS=

 0.1. Size:908K  1
 msjac11n65y-tp.pdf pdf_icon

MSJAC11N65Y

MSJAC11N65YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 650 VIGSS VDS=0V, VGS =30VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=650V, VGS=0V1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=650V, VGS=0V, TJ=150C100VGS(th) VDS=

Otros transistores... MCU20N06 , MCU20N06A , MCU20N06B , MCU20N15 , MCU20P10 , MCU40N10 , MCU60N04A , MCU80N06A , 4N60 , MSJU11N65 , SI1012 , SI2101 , SI2310A , SI2310B , SI2312B , SI2324A , SI3134KDW .

History: SI9434BDY | 50N06AF | RJK1206JPD

 

 
Back to Top

 


 
.