MSJAC11N65Y Todos los transistores

 

MSJAC11N65Y MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSJAC11N65Y

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: DFN5060

 Búsqueda de reemplazo de MSJAC11N65Y MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MSJAC11N65Y datasheet

 ..1. Size:908K  mcc
 msjac11n65y.pdf pdf_icon

MSJAC11N65Y

MSJAC11N65Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 650 V IGSS VDS=0V, VGS = 30V Gate-Source Leakage Current 100 nA VDS=650V, VGS=0V 1 IDSS Zero Gate Voltage Drain Current A VDS=650V, VGS=0V, TJ=150 C 100 VGS(th) VDS=

 0.1. Size:908K  1
 msjac11n65y-tp.pdf pdf_icon

MSJAC11N65Y

MSJAC11N65Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 650 V IGSS VDS=0V, VGS = 30V Gate-Source Leakage Current 100 nA VDS=650V, VGS=0V 1 IDSS Zero Gate Voltage Drain Current A VDS=650V, VGS=0V, TJ=150 C 100 VGS(th) VDS=

Otros transistores... MCU20N06 , MCU20N06A , MCU20N06B , MCU20N15 , MCU20P10 , MCU40N10 , MCU60N04A , MCU80N06A , 12N60 , MSJU11N65 , SI1012 , SI2101 , SI2310A , SI2310B , SI2312B , SI2324A , SI3134KDW .

History: SPB65R180G | TPH4R10ANL | SWT47N70K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.