Справочник MOSFET. MSJAC11N65Y

 

MSJAC11N65Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSJAC11N65Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060
 

 Аналог (замена) для MSJAC11N65Y

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSJAC11N65Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:908K  mcc
 msjac11n65y.pdf pdf_icon

MSJAC11N65Y

MSJAC11N65YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 650 VIGSS VDS=0V, VGS =30VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=650V, VGS=0V1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=650V, VGS=0V, TJ=150C100VGS(th) VDS=

 0.1. Size:908K  1
 msjac11n65y-tp.pdf pdf_icon

MSJAC11N65Y

MSJAC11N65YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 650 VIGSS VDS=0V, VGS =30VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=650V, VGS=0V1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=650V, VGS=0V, TJ=150C100VGS(th) VDS=

Другие MOSFET... MCU20N06 , MCU20N06A , MCU20N06B , MCU20N15 , MCU20P10 , MCU40N10 , MCU60N04A , MCU80N06A , 4N60 , MSJU11N65 , SI1012 , SI2101 , SI2310A , SI2310B , SI2312B , SI2324A , SI3134KDW .

History: IPP60R099C6 | SI2310A | WML50P04TS | SSW80R240SFD | NTMFS4H02N | DM4N65E-F | HGP035N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.