MSJU11N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSJU11N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 78 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 21 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.38 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MSJU11N65
MSJU11N65 Datasheet (PDF)
msju11n65.pdf
MSJU11N65Features Very Low FOM RDS(on) Qg Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingN-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"Super-Junction Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Power MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Ran
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