Справочник MOSFET. MSJU11N65

 

MSJU11N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MSJU11N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для MSJU11N65

 

 

MSJU11N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:921K  mcc
 msju11n65.pdf

MSJU11N65 MSJU11N65

MSJU11N65Features Very Low FOM RDS(on) Qg Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingN-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"Super-Junction Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Power MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Ran

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK1458

 

 
Back to Top