MSJU11N65 - описание и поиск аналогов

 

MSJU11N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSJU11N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для MSJU11N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSJU11N65 даташит

 ..1. Size:921K  mcc
 msju11n65.pdf pdf_icon

MSJU11N65

MSJU11N65 Features Very Low FOM RDS(on) Qg Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Super-Junction Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) Power MOSFET Maximum Ratings Operating Junction Temperature Ran

Другие MOSFET... MCU20N06A , MCU20N06B , MCU20N15 , MCU20P10 , MCU40N10 , MCU60N04A , MCU80N06A , MSJAC11N65Y , 5N65 , SI1012 , SI2101 , SI2310A , SI2310B , SI2312B , SI2324A , SI3134KDW , SI3134KL3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.