SI3415B Todos los transistores

 

SI3415B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI3415B

Código: 3415.'

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.3 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 20 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 12 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 5.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 1 V

Carga de compuerta (Qg): 7.2 nC

Tiempo de elevación (tr): 63 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 219 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.042 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23

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SI3415B Datasheet (PDF)

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SI3415B
SI3415B

SI3415BFeatures High Density Cell Design For Ultra Low RDS(on) High Speed SwitchingP-Channel ESD Protected Up to 2.5KV (HBM) Trench Power LV MOSFET TechnologyEnhancement Mode Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1Field Effect Transistor Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoH

8.1. si3415.pdf Size:610K _vishay

SI3415B
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SI3415B
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SI3415B
SI3415B

SI3415AFeatures High Power and Current Handing Capability Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free. Green Device (Note 1)P-Channel Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55oC to +150oC

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