SI3415B Todos los transistores

 

SI3415B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI3415B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 219 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: SOT23

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SI3415B datasheet

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SI3415B

SI3415B Features High Density Cell Design For Ultra Low RDS(on) High Speed Switching P-Channel ESD Protected Up to 2.5KV (HBM) Trench Power LV MOSFET Technology Enhancement Mode Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Field Effect Transistor Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoH

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SI3415B

 8.2. Size:1291K  mcc
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SI3415B

SI3415A Features High Power and Current Handing Capability Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free. Green Device (Note 1) P-Channel Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) MOSFET Maximum Ratings Operating Junction Temperature Range -55oC to +150oC

 8.3. Size:430K  mcc
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SI3415B

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