SI3415B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI3415B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 219 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: SOT23
SI3415B Datasheet (PDF)
si3415b.pdf
SI3415B Features High Density Cell Design For Ultra Low RDS(on) High Speed Switching P-Channel ESD Protected Up to 2.5KV (HBM) Trench Power LV MOSFET Technology Enhancement Mode Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Field Effect Transistor Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoH
si3415a.pdf
SI3415A Features High Power and Current Handing Capability Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free. Green Device (Note 1) P-Channel Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) MOSFET Maximum Ratings Operating Junction Temperature Range -55oC to +150oC
Другие MOSFET... SI3134KL3 , SI3139KE , SI3139KL3 , SI3400A , SI3401A , SI3402 , SI3407 , SI3415A , 2SK3568 , SI3420A , SIL03N10 , SIL05N06 , SIL2300 , SIL2301 , SIL2308 , SIL2322A , SIL2623 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840





