SI3415B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI3415B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 219 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI3415B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3415B даташит

 ..1. Size:669K  mcc
 si3415b.pdf pdf_icon

SI3415B

SI3415B Features High Density Cell Design For Ultra Low RDS(on) High Speed Switching P-Channel ESD Protected Up to 2.5KV (HBM) Trench Power LV MOSFET Technology Enhancement Mode Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Field Effect Transistor Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoH

 8.1. Size:610K  vishay
 si3415.pdf pdf_icon

SI3415B

 8.2. Size:1291K  mcc
 si3415a.pdf pdf_icon

SI3415B

SI3415A Features High Power and Current Handing Capability Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free. Green Device (Note 1) P-Channel Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) MOSFET Maximum Ratings Operating Junction Temperature Range -55oC to +150oC

 8.3. Size:430K  mcc
 si3415.pdf pdf_icon

SI3415B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI3134KL3, SI3139KE, SI3139KL3, SI3400A, SI3401A, SI3402, SI3407, SI3415A, IRF1407, SI3420A, SIL03N10, SIL05N06, SIL2300, SIL2301, SIL2308, SIL2322A, SIL2623