SIL03N10 Todos los transistores

 

SIL03N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIL03N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

 Búsqueda de reemplazo de SIL03N10 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIL03N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  mcc
 sil03n10.pdf pdf_icon

SIL03N10

SIL03N10Features High Density Cell Design for Low RDS(on) Trench Power HV MOSFET Technology Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 N-CHANNEL Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Ratings Opera

Otros transistores... SI3139KL3 , SI3400A , SI3401A , SI3402 , SI3407 , SI3415A , SI3415B , SI3420A , 13N50 , SIL05N06 , SIL2300 , SIL2301 , SIL2308 , SIL2322A , SIL2623 , SIL3400A , SIL3415 .

History: MDV1522URH | 2SK2835 | SI1025X | IRF2804PBF | SDF120JAA-U | ZXM66P03N8 | KP501B

 

 
Back to Top

 


 
.