SIL03N10 - описание и поиск аналогов

 

SIL03N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIL03N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для SIL03N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIL03N10 даташит

 ..1. Size:442K  mcc
 sil03n10.pdf pdf_icon

SIL03N10

SIL03N10 Features High Density Cell Design for Low RDS(on) Trench Power HV MOSFET Technology Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 N-CHANNEL Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) Maximum Ratings Opera

Другие MOSFET... SI3139KL3 , SI3400A , SI3401A , SI3402 , SI3407 , SI3415A , SI3415B , SI3420A , 5N60 , SIL05N06 , SIL2300 , SIL2301 , SIL2308 , SIL2322A , SIL2623 , SIL3400A , SIL3415 .

History: IRLI540G | IRLI630GPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.