Справочник MOSFET. SIL03N10

 

SIL03N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIL03N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для SIL03N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIL03N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  mcc
 sil03n10.pdf pdf_icon

SIL03N10

SIL03N10Features High Density Cell Design for Low RDS(on) Trench Power HV MOSFET Technology Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 N-CHANNEL Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Ratings Opera

Другие MOSFET... SI3139KL3 , SI3400A , SI3401A , SI3402 , SI3407 , SI3415A , SI3415B , SI3420A , 13N50 , SIL05N06 , SIL2300 , SIL2301 , SIL2308 , SIL2322A , SIL2623 , SIL3400A , SIL3415 .

History: TK3A65D | CS1N70A3H-G

 

 
Back to Top

 


 
.