SIL05N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIL05N06

Código: 5N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.7 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V

Carga de compuerta (Qg): 12 nC

Tiempo de elevación (tr): 2.6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.045 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23-6L

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SIL05N06 Datasheet (PDF)

0.1. sil05n06.pdf Size:734K _mcc

SIL05N06Features Advanced Trench MOSFET Process Technology Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"N-Channel Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Power MOSFETMaximum RatingsOperating Junction Temperature Rang

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