SIL05N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIL05N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIL05N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIL05N06 даташит

 ..1. Size:734K  mcc
 sil05n06.pdf pdf_icon

SIL05N06

SIL05N06 Features Advanced Trench MOSFET Process Technology Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" N-Channel Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) Power MOSFET Maximum Ratings Operating Junction Temperature Rang

Другие IGBT... SI3400A, SI3401A, SI3402, SI3407, SI3415A, SI3415B, SI3420A, SIL03N10, RFP50N06, SIL2300, SIL2301, SIL2308, SIL2322A, SIL2623, SIL3400A, SIL3415, SIL3439K