SIL05N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SIL05N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
Аналог (замена) для SIL05N06
SIL05N06 Datasheet (PDF)
sil05n06.pdf

SIL05N06Features Advanced Trench MOSFET Process Technology Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"N-Channel Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Power MOSFETMaximum RatingsOperating Junction Temperature Rang
Другие MOSFET... SI3400A , SI3401A , SI3402 , SI3407 , SI3415A , SI3415B , SI3420A , SIL03N10 , IRF2807 , SIL2300 , SIL2301 , SIL2308 , SIL2322A , SIL2623 , SIL3400A , SIL3415 , SIL3439K .
History: 2N3993
History: 2N3993



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n