Справочник MOSFET. SIL05N06

 

SIL05N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIL05N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для SIL05N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIL05N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:734K  mcc
 sil05n06.pdf pdf_icon

SIL05N06

SIL05N06Features Advanced Trench MOSFET Process Technology Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"N-Channel Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Power MOSFETMaximum RatingsOperating Junction Temperature Rang

Другие MOSFET... SI3400A , SI3401A , SI3402 , SI3407 , SI3415A , SI3415B , SI3420A , SIL03N10 , SKD502T , SIL2300 , SIL2301 , SIL2308 , SIL2322A , SIL2623 , SIL3400A , SIL3415 , SIL3439K .

History: 2SK370 | MDD1903RH | IRFI520G | GSM3406S | BUK7Y3R5-40E | 2SK2838B | TK42E12N1

 

 
Back to Top

 


 
.