P1025HDB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P1025HDB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.46 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET P1025HDB
P1025HDB Datasheet (PDF)
p1025hdb.pdf
P1025HDB N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 250V 460m 10A G 1 GATE 2 DRAIN 3 SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 250 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25
php1025 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PHP1025 P-channel enhancement mode MOS transistor Objective specification 1998 Feb 18 File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Objective specification P-channel enhancement mode PHP1025 MOS transistor FEATURES PINNING - SOT96-1 (SO8) Very low RDSon at low threshold PIN SYMBOL DESCRIPTION High-speed switching 1 s
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SUP10250E www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 250 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Tuned for the lowest RDS-Coss FOM 0.0315 at VGS = 10 V 63 250 57.6 nC Maximum 175 C junction temperature 0.0325 at VGS = 7.5 V 62 100 % Rg and UIS tested Material categorization TO-2
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Liste
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