P1025HDB Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1025HDB  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.46 Ohm

Encapsulados: TO252

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P1025HDB datasheet

 ..1. Size:188K  niko-sem
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P1025HDB

P1025HDB N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 250V 460m 10A G 1 GATE 2 DRAIN 3 SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 250 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

 9.1. Size:51K  philips
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P1025HDB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PHP1025 P-channel enhancement mode MOS transistor Objective specification 1998 Feb 18 File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Objective specification P-channel enhancement mode PHP1025 MOS transistor FEATURES PINNING - SOT96-1 (SO8) Very low RDSon at low threshold PIN SYMBOL DESCRIPTION High-speed switching 1 s

 9.2. Size:165K  vishay
 sup10250e.pdf pdf_icon

P1025HDB

SUP10250E www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 250 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Tuned for the lowest RDS-Coss FOM 0.0315 at VGS = 10 V 63 250 57.6 nC Maximum 175 C junction temperature 0.0325 at VGS = 7.5 V 62 100 % Rg and UIS tested Material categorization TO-2

Otros transistores... SIL2301, SIL2308, SIL2322A, SIL2623, SIL3400A, SIL3415, SIL3439K, SIL3724, SKD502T, P1825HDB, PA910BD, PK501BA, PK537BA, PK650DY, PKCH2BB, BSS123LT1G, BVSS123LT1G