P1025HDB Todos los transistores

 

P1025HDB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1025HDB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 52 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 250 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V

Carga de compuerta (Qg): 13 nC

Tiempo de elevación (tr): 18 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 64 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.46 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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P1025HDB Datasheet (PDF)

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P1025HDB
P1025HDB

P1025HDBN-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 250V 460m 10A G1: GATE 2: DRAIN 3: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 250 VGate-Source Voltage VGS 20 VTC = 25

9.1. php1025 1.pdf Size:51K _philips

P1025HDB
P1025HDB

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPHP1025P-channel enhancement modeMOS transistorObjective specification 1998 Feb 18File under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Objective specificationP-channel enhancement modePHP1025MOS transistorFEATURES PINNING - SOT96-1 (SO8) Very low RDSon at low thresholdPIN SYMBOL DESCRIPTION High-speed switching1 s

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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