Справочник MOSFET. P1025HDB

 

P1025HDB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: P1025HDB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 13 nC

Время нарастания (tr): 18 ns

Выходная емкость (Cd): 64 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.46 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для P1025HDB

 

 

P1025HDB Datasheet (PDF)

0.1. p1025hdb.pdf Size:188K _niko-sem

P1025HDB
P1025HDB

P1025HDBN-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 250V 460m 10A G1: GATE 2: DRAIN 3: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 250 VGate-Source Voltage VGS 20 VTC = 25

9.1. php1025 1.pdf Size:51K _philips

P1025HDB
P1025HDB

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPHP1025P-channel enhancement modeMOS transistorObjective specification 1998 Feb 18File under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Objective specificationP-channel enhancement modePHP1025MOS transistorFEATURES PINNING - SOT96-1 (SO8) Very low RDSon at low thresholdPIN SYMBOL DESCRIPTION High-speed switching1 s

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top