PA910BD Todos los transistores

 

PA910BD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PA910BD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 30 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 8.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.3 V

Carga de compuerta (Qg): 8.6 nC

Tiempo de elevación (tr): 20 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 35 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.19 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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PA910BD Datasheet (PDF)

0.1. pa910bd.pdf Size:187K _niko-sem

PA910BD
PA910BD

N-Channel Enhancement Mode PA910BD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 190m 8.1A 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 8.1 Continuous Drain Cu

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