Справочник MOSFET. PA910BD

 

PA910BD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PA910BD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.1 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 8.6 nC

Время нарастания (tr): 20 ns

Выходная емкость (Cd): 35 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для PA910BD

 

 

PA910BD Datasheet (PDF)

0.1. pa910bd.pdf Size:187K _niko-sem

PA910BD
PA910BD

N-Channel Enhancement Mode PA910BD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 190m 8.1A 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 8.1 Continuous Drain Cu

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top