STP38N06 Todos los transistores

 

STP38N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP38N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 280 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP38N06 datasheet

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STP38N06

STP38N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE "ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP38N06 60 V

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STP38N06

STB38N65M5, STF38N65M5, STP38N65M5, STW38N65M5 N-channel 650 V, 0.073 , 30 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB 2 VDSS @ RDS(on) 3 Order code ID 1 TJmax max 3 2 D2PAK STB38N65M5 1 TO-220FP STF38N65M5

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STP38N06

STB38N65M5, STP38N65M5, STW38N65M5 N-channel 650 V, 0.073 typ., 30 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDS @ RDS(on) 2 Order codes ID 3 TJmax max 1 STB38N65M5 D2PAK STP38N65M5 710 V 0.095 30 A TAB STW38N65M5 Higher VDSS rating and high dv/dt capability 3 3 Excellent switching performance

Otros transistores... STP33N10 , STP33N10FI , STP36N05L , STP36N05LFI , STP36N06 , STP36N06FI , STP36N06L , STP36N06LFI , AO3400A , STP3N100 , STP3N100FI , STP3N100XI , STP3N50XI , STP3N60FI , STP3N60XI , STP3N80XI , STP3N90 .

 

 

 


 
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