STP38N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP38N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 280 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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STP38N06 Datasheet (PDF)
stp38n06.pdf
STP38N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE"ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP38N06 60 V
stb38n65m5 stf38n65m5 stp38n65m5 stw38n65m5.pdf
STB38N65M5, STF38N65M5, STP38N65M5, STW38N65M5N-channel 650 V, 0.073 , 30 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTAB2 VDSS @ RDS(on) 3 Order code ID1 TJmax max32D2PAKSTB38N65M51TO-220FP STF38N65M5
stb38n65m5 stp38n65m5 stw38n65m5.pdf
STB38N65M5, STP38N65M5, STW38N65M5N-channel 650 V, 0.073 typ., 30 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) 2Order codes ID3TJmax max1STB38N65M5D2PAKSTP38N65M5 710 V 0.095 30 ATABSTW38N65M5 Higher VDSS rating and high dv/dt capability33 Excellent switching performance
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Liste
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