Справочник MOSFET. STP38N06

 

STP38N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP38N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 280 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP38N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP38N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:423K  st
 stp38n06.pdf pdf_icon

STP38N06

STP38N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE"ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP38N06 60 V

 8.1. Size:1582K  st
 stb38n65m5 stf38n65m5 stp38n65m5 stw38n65m5.pdf pdf_icon

STP38N06

STB38N65M5, STF38N65M5, STP38N65M5, STW38N65M5N-channel 650 V, 0.073 , 30 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTAB2 VDSS @ RDS(on) 3 Order code ID1 TJmax max32D2PAKSTB38N65M51TO-220FP STF38N65M5

 8.2. Size:1667K  st
 stb38n65m5 stp38n65m5 stw38n65m5.pdf pdf_icon

STP38N06

STB38N65M5, STP38N65M5, STW38N65M5N-channel 650 V, 0.073 typ., 30 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) 2Order codes ID3TJmax max1STB38N65M5D2PAKSTP38N65M5 710 V 0.095 30 ATABSTW38N65M5 Higher VDSS rating and high dv/dt capability33 Excellent switching performance

Другие MOSFET... STP33N10 , STP33N10FI , STP36N05L , STP36N05LFI , STP36N06 , STP36N06FI , STP36N06L , STP36N06LFI , RU6888R , STP3N100 , STP3N100FI , STP3N100XI , STP3N50XI , STP3N60FI , STP3N60XI , STP3N80XI , STP3N90 .

 

 
Back to Top

 


 
.