PK650DY Todos los transistores

 

PK650DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PK650DY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.4 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 21 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.3 V

Carga de compuerta (Qg): 72 nC

Tiempo de elevación (tr): 16 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 615 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0028 Ohm

Empaquetado / Estuche: PDFN5X6P

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PK650DY Datasheet (PDF)

0.1. pk650dy.pdf Size:575K _niko-sem

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Dual N-Channel Enhancement Mode PK650DY NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 30V 2.8m 83A Q1 30V 11m 36A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. 1 : G1 Optimized Gate Charge to Minimize Switch

9.1. pk650ba.pdf Size:730K _unikc

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PK650BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID3.3m @VGS = 10V30V 70APDFN 5X6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C70IDContinuous Drain Current2TC = 100 C44.6IDM100Pulsed Drain Cur

9.2. pk650ba.pdf Size:225K _niko-sem

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PK650BA NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G30V 3.3m 70A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Vol

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