PK650DY - описание и поиск аналогов

 

PK650DY - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PK650DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для PK650DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK650DY технические параметры

 ..1. Size:575K  1
 pk650dy.pdf pdf_icon

PK650DY

Dual N-Channel Enhancement Mode PK650DY NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 30V 2.8m 83A Q1 30V 11m 36A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. 1 G1 Optimized Gate Charge to Minimize Switch

 ..2. Size:575K  niko-sem
 pk650dy.pdf pdf_icon

PK650DY

Dual N-Channel Enhancement Mode PK650DY NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 30V 2.8m 83A Q1 30V 11m 36A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. 1 G1 Optimized Gate Charge to Minimize Switch

 9.1. Size:730K  unikc
 pk650ba.pdf pdf_icon

PK650DY

PK650BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 3.3m @VGS = 10V 30V 70A PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 70 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 44.6 IDM 100 Pulsed Drain Cur

 9.2. Size:264K  niko-sem
 pk650ba.pdf pdf_icon

PK650DY

PK650BA NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 30V 3.3m 70A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Vol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIL3415 , SIL3439K , SIL3724 , P1025HDB , P1825HDB , PA910BD , PK501BA , PK537BA , STP65NF06 , PKCH2BB , BSS123LT1G , BVSS123LT1G , EFC2J004NUZ , EFC2J013NUZ , EFC2K101NUZ , EFC2K103NUZ , EFC2K107NUZ .

 

 
Back to Top

 


 
.