BSS123LT1G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSS123LT1G 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
Encapsulados: SOT23
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BSS123LT1G datasheet
bss123lt1g bvss123lt1g.pdf
BSS123LT1G, BVSS123LT1G Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts N-Channel SOT-23 http //onsemi.com Features 170 mAMPS BVSS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 100 VOLTS Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 RDS(on) = 6 W Qualified and PPAP Capable N-Channel These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value
lbss123lt1g s-lbss123lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. N-CHANNEL POWER MOSFET LBSS123LT1G LBSS123LT1G S-LBSS123LT1G FEATURE 3 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION 2 SOT-23 Device Marking Shipping LBSS123LT1G 3000/Tape&Reel SA
bss123lt1-d.pdf
BSS123LT1 Preferred Device Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts N-Channel SOT-23 http //onsemi.com Features Pb-Free Packages are Available 170 mAMPS 100 VOLTS RDS(on) = 6 W N-Channel 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDSS 100 Vdc Gate-Source Voltage 1 - Continuous VGS 20 Vdc - Non-repetitive (tp 50 ms) VGSM 40 Vpk Drain Current Adc 2 -
Otros transistores... SIL3724, P1025HDB, P1825HDB, PA910BD, PK501BA, PK537BA, PK650DY, PKCH2BB, 7N60, BVSS123LT1G, EFC2J004NUZ, EFC2J013NUZ, EFC2K101NUZ, EFC2K103NUZ, EFC2K107NUZ, EFC3C001NUZ, EFC4C002NL
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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