EFC2J013NUZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EFC2J013NUZ
Código: NT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 37 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 26000 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
Paquete / Cubierta: WLCSP6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET EFC2J013NUZ
EFC2J013NUZ Datasheet (PDF)
efc2j013nuz.pdf
EFC2J013NUZPower MOSFETfor 1Cell LithiumionBattery Protection12 V, 5.8 mW, 17 A, Dual N-Channelwww.onsemi.comThis Power MOSFET features a low on-state resistance. This deviceis suitable for applications such as power switches of portableVSSS RSS(ON) MAX IS MAXmachines. Best suited for 1-cell lithium-ion battery applications.12 V 5.8 mW @ 4.5 V 17 AFeatures6.2 mW @
efc2j004nuz.pdf
EFC2J004NUZ Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection 12 V, 7.1 m, 14 A, Dual N-Channel www.onsemi.com This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-cell lithium-ion battery applications. VSSS RSS(on) Max IS Max 7.1 m @ 4.5 V Features 7.7 m
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