EFC2J013NUZ - аналоги и даташиты транзистора

 

EFC2J013NUZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: EFC2J013NUZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26000 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP6
 

 Аналог (замена) для EFC2J013NUZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EFC2J013NUZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  onsemi
 efc2j013nuz.pdf pdf_icon

EFC2J013NUZ

EFC2J013NUZPower MOSFETfor 1Cell LithiumionBattery Protection12 V, 5.8 mW, 17 A, Dual N-Channelwww.onsemi.comThis Power MOSFET features a low on-state resistance. This deviceis suitable for applications such as power switches of portableVSSS RSS(ON) MAX IS MAXmachines. Best suited for 1-cell lithium-ion battery applications.12 V 5.8 mW @ 4.5 V 17 AFeatures6.2 mW @

 8.1. Size:246K  onsemi
 efc2j004nuz.pdf pdf_icon

EFC2J013NUZ

EFC2J004NUZ Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection 12 V, 7.1 m, 14 A, Dual N-Channel www.onsemi.com This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-cell lithium-ion battery applications. VSSS RSS(on) Max IS Max 7.1 m @ 4.5 V Features 7.7 m

Другие MOSFET... PA910BD , PK501BA , PK537BA , PK650DY , PKCH2BB , BSS123LT1G , BVSS123LT1G , EFC2J004NUZ , IRF830 , EFC2K101NUZ , EFC2K103NUZ , EFC2K107NUZ , EFC3C001NUZ , EFC4C002NL , EFC4K105NUZ , EFC4K110NUZ , EFC8811R .

 

 
Back to Top

 


 
.