EFC2J013NUZ - описание и поиск аналогов

 

EFC2J013NUZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EFC2J013NUZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26000 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: WLCSP6

Аналог (замена) для EFC2J013NUZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EFC2J013NUZ даташит

 ..1. Size:127K  onsemi
 efc2j013nuz.pdf pdf_icon

EFC2J013NUZ

EFC2J013NUZ Power MOSFET for 1 Cell Lithium ion Battery Protection 12 V, 5.8 mW, 17 A, Dual N-Channel www.onsemi.com This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable VSSS RSS(ON) MAX IS MAX machines. Best suited for 1-cell lithium-ion battery applications. 12 V 5.8 mW @ 4.5 V 17 A Features 6.2 mW @

 8.1. Size:246K  onsemi
 efc2j004nuz.pdf pdf_icon

EFC2J013NUZ

EFC2J004NUZ Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection 12 V, 7.1 m , 14 A, Dual N-Channel www.onsemi.com This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-cell lithium-ion battery applications. VSSS RSS(on) Max IS Max 7.1 m @ 4.5 V Features 7.7 m

Другие MOSFET... PA910BD , PK501BA , PK537BA , PK650DY , PKCH2BB , BSS123LT1G , BVSS123LT1G , EFC2J004NUZ , IRF830 , EFC2K101NUZ , EFC2K103NUZ , EFC2K107NUZ , EFC3C001NUZ , EFC4C002NL , EFC4K105NUZ , EFC4K110NUZ , EFC8811R .

History: FDB2532F085 | IXFK50N50

 

 

 

 

↑ Back to Top
.