EFC3C001NUZ Todos los transistores

 

EFC3C001NUZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EFC3C001NUZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 350 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: WLCSP4
 

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EFC3C001NUZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  onsemi
 efc3c001nuz.pdf pdf_icon

EFC3C001NUZ

EFC3C001NUZ Power MOSFET for 1-2 Cells Lithium-ion Battery Protection 20V, 30m, 6A, Dual N-Channel www.onsemi.com This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applications. VSSS RSS(on) Max IS Max Features 30m@ 4.5V 2.5V dri

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History: IRLR4343PBF | 2SK1671 | NCE8580 | 2SK4022 | AP30T10GK | 2SK1704 | 2SJ345

 

 
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