Справочник MOSFET. EFC3C001NUZ

 

EFC3C001NUZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EFC3C001NUZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 350 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP4
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

EFC3C001NUZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  onsemi
 efc3c001nuz.pdf pdf_icon

EFC3C001NUZ

EFC3C001NUZ Power MOSFET for 1-2 Cells Lithium-ion Battery Protection 20V, 30m, 6A, Dual N-Channel www.onsemi.com This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applications. VSSS RSS(on) Max IS Max Features 30m@ 4.5V 2.5V dri

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.