EFC3C001NUZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: EFC3C001NUZ
Маркировка: WC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
trⓘ - Время нарастания: 350 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: WLCSP4
Аналог (замена) для EFC3C001NUZ
EFC3C001NUZ Datasheet (PDF)
efc3c001nuz.pdf
EFC3C001NUZ Power MOSFET for 1-2 Cells Lithium-ion Battery Protection 20V, 30m, 6A, Dual N-Channel www.onsemi.com This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applications. VSSS RSS(on) Max IS Max Features 30m@ 4.5V 2.5V dri
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .