Справочник MOSFET. EFC3C001NUZ

 

EFC3C001NUZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: EFC3C001NUZ
   Маркировка: WC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 350 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP4

 Аналог (замена) для EFC3C001NUZ

 

 

EFC3C001NUZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  onsemi
 efc3c001nuz.pdf

EFC3C001NUZ EFC3C001NUZ

EFC3C001NUZ Power MOSFET for 1-2 Cells Lithium-ion Battery Protection 20V, 30m, 6A, Dual N-Channel www.onsemi.com This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applications. VSSS RSS(on) Max IS Max Features 30m@ 4.5V 2.5V dri

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top