EFC3C001NUZ - описание и поиск аналогов

 

EFC3C001NUZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EFC3C001NUZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 350 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: WLCSP4

Аналог (замена) для EFC3C001NUZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EFC3C001NUZ даташит

 ..1. Size:267K  onsemi
 efc3c001nuz.pdf pdf_icon

EFC3C001NUZ

EFC3C001NUZ Power MOSFET for 1-2 Cells Lithium-ion Battery Protection 20V, 30m , 6A, Dual N-Channel www.onsemi.com This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applications. VSSS RSS(on) Max IS Max Features 30m @ 4.5V 2.5V dri

Другие MOSFET... PKCH2BB , BSS123LT1G , BVSS123LT1G , EFC2J004NUZ , EFC2J013NUZ , EFC2K101NUZ , EFC2K103NUZ , EFC2K107NUZ , AON7403 , EFC4C002NL , EFC4K105NUZ , EFC4K110NUZ , EFC8811R , FCB070N65S3 , FCB099N65S3 , FCB125N65S3 , FCB260N65S3 .

History: 2SK1120 | EFC2K103NUZ | EFC2K101NUZ | 2SK1486

 

 

 

 

↑ Back to Top
.