Справочник MOSFET. EFC3C001NUZ

 

EFC3C001NUZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EFC3C001NUZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 350 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP4
 

 Аналог (замена) для EFC3C001NUZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EFC3C001NUZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  onsemi
 efc3c001nuz.pdf pdf_icon

EFC3C001NUZ

EFC3C001NUZ Power MOSFET for 1-2 Cells Lithium-ion Battery Protection 20V, 30m, 6A, Dual N-Channel www.onsemi.com This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applications. VSSS RSS(on) Max IS Max Features 30m@ 4.5V 2.5V dri

Другие MOSFET... PKCH2BB , BSS123LT1G , BVSS123LT1G , EFC2J004NUZ , EFC2J013NUZ , EFC2K101NUZ , EFC2K103NUZ , EFC2K107NUZ , EMB04N03H , EFC4C002NL , EFC4K105NUZ , EFC4K110NUZ , EFC8811R , FCB070N65S3 , FCB099N65S3 , FCB125N65S3 , FCB260N65S3 .

History: IXFV26N50P | SIE808DF | OSG60R092HT3ZF | APT40M70B2VFRG | 2SK3365 | RQ6E050AT

 

 
Back to Top

 


 
.