EFC4C002NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EFC4C002NL
Código: 4C2_NP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 750 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
Paquete / Cubierta: WLCSP8
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EFC4C002NL Datasheet (PDF)
..1. Size:276K onsemi
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MOSFET Power,Dual, N-Channel, for 3-CellsLithium-ion Battery Protection,WLCSP830 V, 2.6 mW, 30 Awww.onsemi.comEFC4C002NLThis N-Channel Power MOSFET is produced usingVSSS RSS(on) Max IS MaxON Semiconductors trench technology, which is specifically2.6 mW @ 10 Vdesigned to minimize gate charge and ultra low on resistance.30 V 3.3 mW @ 8 V 30 AThis device is suitabl
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