EFC4C002NL Todos los transistores

 

EFC4C002NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EFC4C002NL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 750 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: WLCSP8
 

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EFC4C002NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  onsemi
 efc4c002nl.pdf pdf_icon

EFC4C002NL

MOSFET Power,Dual, N-Channel, for 3-CellsLithium-ion Battery Protection,WLCSP830 V, 2.6 mW, 30 Awww.onsemi.comEFC4C002NLThis N-Channel Power MOSFET is produced usingVSSS RSS(on) Max IS MaxON Semiconductors trench technology, which is specifically2.6 mW @ 10 Vdesigned to minimize gate charge and ultra low on resistance.30 V 3.3 mW @ 8 V 30 AThis device is suitabl

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History: NX138BKS | 2SK2129 | NVD5890NL | HUF76419D3ST | HM18N40A

 

 
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