EFC4C002NL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EFC4C002NL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 750 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
Encapsulados: WLCSP8
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EFC4C002NL datasheet
efc4c002nl.pdf
MOSFET Power, Dual, N-Channel, for 3-Cells Lithium-ion Battery Protection, WLCSP8 30 V, 2.6 mW, 30 A www.onsemi.com EFC4C002NL This N-Channel Power MOSFET is produced using VSSS RSS(on) Max IS Max ON Semiconductor s trench technology, which is specifically 2.6 mW @ 10 V designed to minimize gate charge and ultra low on resistance. 30 V 3.3 mW @ 8 V 30 A This device is suitabl
Otros transistores... BSS123LT1G , BVSS123LT1G , EFC2J004NUZ , EFC2J013NUZ , EFC2K101NUZ , EFC2K103NUZ , EFC2K107NUZ , EFC3C001NUZ , K2611 , EFC4K105NUZ , EFC4K110NUZ , EFC8811R , FCB070N65S3 , FCB099N65S3 , FCB125N65S3 , FCB260N65S3 , FCD360N65S3R0 .
History: STC6332
History: STC6332
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Liste
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