EFC4C002NL - описание и поиск аналогов

 

EFC4C002NL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EFC4C002NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 750 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm

Тип корпуса: WLCSP8

Аналог (замена) для EFC4C002NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EFC4C002NL даташит

 ..1. Size:276K  onsemi
 efc4c002nl.pdf pdf_icon

EFC4C002NL

MOSFET Power, Dual, N-Channel, for 3-Cells Lithium-ion Battery Protection, WLCSP8 30 V, 2.6 mW, 30 A www.onsemi.com EFC4C002NL This N-Channel Power MOSFET is produced using VSSS RSS(on) Max IS Max ON Semiconductor s trench technology, which is specifically 2.6 mW @ 10 V designed to minimize gate charge and ultra low on resistance. 30 V 3.3 mW @ 8 V 30 A This device is suitabl

Другие MOSFET... BSS123LT1G , BVSS123LT1G , EFC2J004NUZ , EFC2J013NUZ , EFC2K101NUZ , EFC2K103NUZ , EFC2K107NUZ , EFC3C001NUZ , K2611 , EFC4K105NUZ , EFC4K110NUZ , EFC8811R , FCB070N65S3 , FCB099N65S3 , FCB125N65S3 , FCB260N65S3 , FCD360N65S3R0 .

History: 2SK1120 | 2SK1544 | 2SK1381 | STD110N8F6 | STD110NH02LT4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.