Справочник MOSFET. EFC4C002NL

 

EFC4C002NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EFC4C002NL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 750 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP8
 

 Аналог (замена) для EFC4C002NL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EFC4C002NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  onsemi
 efc4c002nl.pdf pdf_icon

EFC4C002NL

MOSFET Power,Dual, N-Channel, for 3-CellsLithium-ion Battery Protection,WLCSP830 V, 2.6 mW, 30 Awww.onsemi.comEFC4C002NLThis N-Channel Power MOSFET is produced usingVSSS RSS(on) Max IS MaxON Semiconductors trench technology, which is specifically2.6 mW @ 10 Vdesigned to minimize gate charge and ultra low on resistance.30 V 3.3 mW @ 8 V 30 AThis device is suitabl

Другие MOSFET... BSS123LT1G , BVSS123LT1G , EFC2J004NUZ , EFC2J013NUZ , EFC2K101NUZ , EFC2K103NUZ , EFC2K107NUZ , EFC3C001NUZ , IRF9640 , EFC4K105NUZ , EFC4K110NUZ , EFC8811R , FCB070N65S3 , FCB099N65S3 , FCB125N65S3 , FCB260N65S3 , FCD360N65S3R0 .

History: IXFN23N100 | WSD20L70DN

 

 
Back to Top

 


 
.