EFC4C002NL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: EFC4C002NL
Маркировка: 4C2_NP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
trⓘ - Время нарастания: 750 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
Тип корпуса: WLCSP8
Аналог (замена) для EFC4C002NL
EFC4C002NL Datasheet (PDF)
..1. Size:276K onsemi
efc4c002nl.pdf
efc4c002nl.pdf
MOSFET Power,Dual, N-Channel, for 3-CellsLithium-ion Battery Protection,WLCSP830 V, 2.6 mW, 30 Awww.onsemi.comEFC4C002NLThis N-Channel Power MOSFET is produced usingVSSS RSS(on) Max IS MaxON Semiconductors trench technology, which is specifically2.6 mW @ 10 Vdesigned to minimize gate charge and ultra low on resistance.30 V 3.3 mW @ 8 V 30 AThis device is suitabl
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
