EFC4K110NUZ Todos los transistores

 

EFC4K110NUZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EFC4K110NUZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1600 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00295 Ohm
   Paquete / Cubierta: WLCSP10
 

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EFC4K110NUZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  onsemi
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EFC4K110NUZ

EFC4K110NUZMOSFET Power, Dual,N-Channel, for 1-2 CellsLithium-ion Battery Protection24 V, 2.95 mW, 25 Awww.onsemi.comIntroductionThis Power MOSFET features a low on-state resistance. This deviceVSSS RSS(ON) MAX IS MAXis suitable for applications such as power switches of portable24 V 2.95 mW @ 4.5 V 25 Amachines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applicatio

 8.1. Size:169K  onsemi
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EFC4K110NUZ

EFC4K105NUZPower MOSFETfor 12 Cells LithiumionBattery Protection22 V, 3.55 mW, 25 A, Dual N-Channelwww.onsemi.comThis Power MOSFET features a low on-state resistance. This deviceis suitable for applications such as power switches of portableVSSS RSS(ON) MAX IS MAXmachines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applications.22 V 3.55 mW @ 4.5 V 25 AFeatures3

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History: AP50T10GH-HF | HGA098N10A | PMN20ENA

 

 
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