EFC4K110NUZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EFC4K110NUZ
Código: PH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 49 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 1600 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00295 Ohm
Paquete / Cubierta: WLCSP10
Búsqueda de reemplazo de MOSFET EFC4K110NUZ
EFC4K110NUZ Datasheet (PDF)
efc4k110nuz.pdf
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efc4k105nuz.pdf
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