EFC4K110NUZ Todos los transistores

 

EFC4K110NUZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EFC4K110NUZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1600 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00295 Ohm

Encapsulados: WLCSP10

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EFC4K110NUZ datasheet

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EFC4K110NUZ

EFC4K110NUZ MOSFET Power, Dual, N-Channel, for 1-2 Cells Lithium-ion Battery Protection 24 V, 2.95 mW, 25 A www.onsemi.com Introduction This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device VSSS RSS(ON) MAX IS MAX is suitable for applications such as power switches of portable 24 V 2.95 mW @ 4.5 V 25 A machines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applicatio

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EFC4K110NUZ

EFC4K105NUZ Power MOSFET for 1 2 Cells Lithium ion Battery Protection 22 V, 3.55 mW, 25 A, Dual N-Channel www.onsemi.com This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable VSSS RSS(ON) MAX IS MAX machines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applications. 22 V 3.55 mW @ 4.5 V 25 A Features 3

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History: ALD1103DB | HYG055N08NS1B | SNN0310Q

 

 

 

 

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