Справочник MOSFET. EFC4K110NUZ

 

EFC4K110NUZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EFC4K110NUZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1600 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00295 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP10
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

EFC4K110NUZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  onsemi
 efc4k110nuz.pdf pdf_icon

EFC4K110NUZ

EFC4K110NUZMOSFET Power, Dual,N-Channel, for 1-2 CellsLithium-ion Battery Protection24 V, 2.95 mW, 25 Awww.onsemi.comIntroductionThis Power MOSFET features a low on-state resistance. This deviceVSSS RSS(ON) MAX IS MAXis suitable for applications such as power switches of portable24 V 2.95 mW @ 4.5 V 25 Amachines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applicatio

 8.1. Size:169K  onsemi
 efc4k105nuz.pdf pdf_icon

EFC4K110NUZ

EFC4K105NUZPower MOSFETfor 12 Cells LithiumionBattery Protection22 V, 3.55 mW, 25 A, Dual N-Channelwww.onsemi.comThis Power MOSFET features a low on-state resistance. This deviceis suitable for applications such as power switches of portableVSSS RSS(ON) MAX IS MAXmachines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applications.22 V 3.55 mW @ 4.5 V 25 AFeatures3

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SMK1820F | AO4629 | 2SK3572-Z | STB21NM60ND | IPD135N08N3 | NP100P06PDG | MTM40N20

 

 
Back to Top

 


 
.