EFC8811R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EFC8811R
Código: ML
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 100 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 570 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
Paquete / Cubierta: CSP6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET EFC8811R
EFC8811R Datasheet (PDF)
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EFC8811R Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection 12V, 3.2m, 27A, Dual N-Channel www.onsemi.com This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-cell lithium-ion battery applications. VSSS RSS(on) Max IS Max 3.2m@ 4.5V Features 3.2m@ 4.0V
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