Справочник MOSFET. EFC8811R

 

EFC8811R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EFC8811R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 570 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: CSP6
 

 Аналог (замена) для EFC8811R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EFC8811R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:712K  onsemi
 efc8811r.pdf pdf_icon

EFC8811R

EFC8811R Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection 12V, 3.2m, 27A, Dual N-Channel www.onsemi.com This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-cell lithium-ion battery applications. VSSS RSS(on) Max IS Max 3.2m@ 4.5V Features 3.2m@ 4.0V

Другие MOSFET... EFC2J013NUZ , EFC2K101NUZ , EFC2K103NUZ , EFC2K107NUZ , EFC3C001NUZ , EFC4C002NL , EFC4K105NUZ , EFC4K110NUZ , 2N7002 , FCB070N65S3 , FCB099N65S3 , FCB125N65S3 , FCB260N65S3 , FCD360N65S3R0 , FCD600N65S3R0 , FCH023N65S3 , FCH041N65F-F085 .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.