EFC8811R - описание и поиск аналогов

 

EFC8811R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EFC8811R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 570 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: CSP6

Аналог (замена) для EFC8811R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EFC8811R даташит

 ..1. Size:712K  onsemi
efc8811r.pdfpdf_icon

EFC8811R

Другие MOSFET... EFC2J013NUZ , EFC2K101NUZ , EFC2K103NUZ , EFC2K107NUZ , EFC3C001NUZ , EFC4C002NL , EFC4K105NUZ , EFC4K110NUZ , MMIS60R580P , FCB070N65S3 , FCB099N65S3 , FCB125N65S3 , FCB260N65S3 , FCD360N65S3R0 , FCD600N65S3R0 , FCH023N65S3 , FCH041N65F-F085 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.