FCB070N65S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FCB070N65S3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 312 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 44 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 78 nC
   Tiempo de subida (tr): 52 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 68 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

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FCB070N65S3 Datasheet (PDF)

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fcb070n65s3.pdf

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History: IPP600N25N3

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