FCB070N65S3 - аналоги и даташиты транзистора

 

FCB070N65S3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FCB070N65S3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для FCB070N65S3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCB070N65S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:321K  onsemi
 fcb070n65s3.pdf pdf_icon

FCB070N65S3

FCB070N65S3MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET) III,Easy Drive650 V, 44 A, 70 mWwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highVDSS RDS(ON) MAX ID MAXvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 70 mW @ 10 V 44 Acharge performance. This advan

Другие MOSFET... EFC2K101NUZ , EFC2K103NUZ , EFC2K107NUZ , EFC3C001NUZ , EFC4C002NL , EFC4K105NUZ , EFC4K110NUZ , EFC8811R , AO4468 , FCB099N65S3 , FCB125N65S3 , FCB260N65S3 , FCD360N65S3R0 , FCD600N65S3R0 , FCH023N65S3 , FCH041N65F-F085 , FCH072N60F-F085 .

History: WMR05N10TS | S80N18RP

 

 
Back to Top

 


 
.