Справочник MOSFET. FCB070N65S3

 

FCB070N65S3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCB070N65S3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FCB070N65S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:321K  onsemi
 fcb070n65s3.pdf pdf_icon

FCB070N65S3

FCB070N65S3MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET) III,Easy Drive650 V, 44 A, 70 mWwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highVDSS RDS(ON) MAX ID MAXvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 70 mW @ 10 V 44 Acharge performance. This advan

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.