FCB070N65S3 - описание и поиск аналогов

 

FCB070N65S3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCB070N65S3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для FCB070N65S3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCB070N65S3 даташит

 ..1. Size:321K  onsemi
 fcb070n65s3.pdf pdf_icon

FCB070N65S3

FCB070N65S3 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET) III, Easy Drive 650 V, 44 A, 70 mW www.onsemi.com Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high VDSS RDS(ON) MAX ID MAX voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate 650 V 70 mW @ 10 V 44 A charge performance. This advan

Другие MOSFET... EFC2K101NUZ , EFC2K103NUZ , EFC2K107NUZ , EFC3C001NUZ , EFC4C002NL , EFC4K105NUZ , EFC4K110NUZ , EFC8811R , AOD4184A , FCB099N65S3 , FCB125N65S3 , FCB260N65S3 , FCD360N65S3R0 , FCD600N65S3R0 , FCH023N65S3 , FCH041N65F-F085 , FCH072N60F-F085 .

History: EFC8811R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.