FCB260N65S3 Todos los transistores

 

FCB260N65S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCB260N65S3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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FCB260N65S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  onsemi
 fcb260n65s3.pdf pdf_icon

FCB260N65S3

FCB260N65S3MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 12 A, 260 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advance technology is tailored

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History: TSF12N65M | SL4184 | INJ0002AU1 | FCD600N65S3R0 | AP4439GMT-HF | B740 | 2SK1527-E1-E

 

 
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