FCB260N65S3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FCB260N65S3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для FCB260N65S3
FCB260N65S3 Datasheet (PDF)
fcb260n65s3.pdf

FCB260N65S3MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 12 A, 260 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advance technology is tailored
Другие MOSFET... EFC3C001NUZ , EFC4C002NL , EFC4K105NUZ , EFC4K110NUZ , EFC8811R , FCB070N65S3 , FCB099N65S3 , FCB125N65S3 , 5N50 , FCD360N65S3R0 , FCD600N65S3R0 , FCH023N65S3 , FCH041N65F-F085 , FCH072N60F-F085 , FCH077N65F-F085 , FCH104N60F-F085 , FCH125N65S3R0 .
History: 2N90G-TF3-T | STL34N65M5 | STL3NK40 | NTJS3157NT1G | S80N18RP | NTMFD4C85N
History: 2N90G-TF3-T | STL34N65M5 | STL3NK40 | NTJS3157NT1G | S80N18RP | NTMFD4C85N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor