FCD360N65S3R0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCD360N65S3R0
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 18 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 15 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.36 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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FCD360N65S3R0 Datasheet (PDF)
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FCD360N65S3R0Power MOSFET, N-Channel,SUPERFET) III, Easy Drive,650 V, 10 A, 360 mWDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailored
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