FCD360N65S3R0 Todos los transistores

 

FCD360N65S3R0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCD360N65S3R0
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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FCD360N65S3R0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:410K  onsemi
 fcd360n65s3r0.pdf pdf_icon

FCD360N65S3R0

FCD360N65S3R0Power MOSFET, N-Channel,SUPERFET) III, Easy Drive,650 V, 10 A, 360 mWDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailored

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History: IRF8714G | SSW50R240S | STY80NM60N | 3N172 | 5LP01S | 2SK757 | AOC2804B

 

 
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