FCD360N65S3R0 - описание и поиск аналогов

 

FCD360N65S3R0. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCD360N65S3R0

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для FCD360N65S3R0

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCD360N65S3R0 даташит

 ..1. Size:410K  onsemi
 fcd360n65s3r0.pdf pdf_icon

FCD360N65S3R0

FCD360N65S3R0 Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET) III, Easy Drive, 650 V, 10 A, 360 mW Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high www.onsemi.com voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tailored

Другие MOSFET... EFC4C002NL , EFC4K105NUZ , EFC4K110NUZ , EFC8811R , FCB070N65S3 , FCB099N65S3 , FCB125N65S3 , FCB260N65S3 , AO4468 , FCD600N65S3R0 , FCH023N65S3 , FCH041N65F-F085 , FCH072N60F-F085 , FCH077N65F-F085 , FCH104N60F-F085 , FCH125N65S3R0 , FCHD040N65S3 .

History: STD11NM60N-1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.