FCH023N65S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCH023N65S3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 595 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FCH023N65S3
FCH023N65S3 Datasheet (PDF)
fch023n65s3.pdf
www.onsemi.comFCH023N65S3N-Channel SuperFET III MOSFET650 V, 75 A, 23 mFeatures Description 700 V @ TJ = 150C SuperFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is uti- Typ. RDS(on) = 19.5 mlizing charge balance technology for outstanding low on-resis- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 222 nC)tance and
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