FCH023N65S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCH023N65S3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 595 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 222 nC
Tiempo de subida (tr): 55 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 195 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FCH023N65S3
FCH023N65S3 Datasheet (PDF)
..1. Size:1285K onsemi
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www.onsemi.comFCH023N65S3N-Channel SuperFET III MOSFET650 V, 75 A, 23 mFeatures Description 700 V @ TJ = 150C SuperFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is uti- Typ. RDS(on) = 19.5 mlizing charge balance technology for outstanding low on-resis- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 222 nC)tance and
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