FCH023N65S3 - описание и поиск аналогов

 

FCH023N65S3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCH023N65S3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 595 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для FCH023N65S3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCH023N65S3 даташит

 ..1. Size:1285K  onsemi
 fch023n65s3.pdf pdf_icon

FCH023N65S3

www.onsemi.com FCH023N65S3 N-Channel SuperFET III MOSFET 650 V, 75 A, 23 m Features Description 700 V @ TJ = 150 C SuperFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand- new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is uti- Typ. RDS(on) = 19.5 m lizing charge balance technology for outstanding low on-resis- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 222 nC) tance and

Другие MOSFET... EFC4K110NUZ , EFC8811R , FCB070N65S3 , FCB099N65S3 , FCB125N65S3 , FCB260N65S3 , FCD360N65S3R0 , FCD600N65S3R0 , IRFZ44N , FCH041N65F-F085 , FCH072N60F-F085 , FCH077N65F-F085 , FCH104N60F-F085 , FCH125N65S3R0 , FCHD040N65S3 , FCHD125N65S3R0 , FCHD190N65S3R0 .

History: TK65S04N1L | SNN01Z10D | STD150NH02L-1 | CEM9956A | HM10N10I

 

 

 

 

↑ Back to Top
.