Справочник MOSFET. FCH023N65S3

 

FCH023N65S3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FCH023N65S3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 595 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 222 nC
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для FCH023N65S3

 

 

FCH023N65S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1285K  onsemi
 fch023n65s3.pdf

FCH023N65S3 FCH023N65S3

www.onsemi.comFCH023N65S3N-Channel SuperFET III MOSFET650 V, 75 A, 23 mFeatures Description 700 V @ TJ = 150C SuperFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is uti- Typ. RDS(on) = 19.5 mlizing charge balance technology for outstanding low on-resis- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 222 nC)tance and

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top