FCH023N65S3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FCH023N65S3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 595 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 222 nC
Время нарастания (tr): 55 ns
Выходная емкость (Cd): 195 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для FCH023N65S3
FCH023N65S3 Datasheet (PDF)
..1. Size:1285K onsemi
fch023n65s3.pdf
fch023n65s3.pdf
www.onsemi.comFCH023N65S3N-Channel SuperFET III MOSFET650 V, 75 A, 23 mFeatures Description 700 V @ TJ = 150C SuperFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is uti- Typ. RDS(on) = 19.5 mlizing charge balance technology for outstanding low on-resis- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 222 nC)tance and
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
