FCHD040N65S3 Todos los transistores

 

FCHD040N65S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCHD040N65S3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247AD
 

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FCHD040N65S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  onsemi
 fchd040n65s3.pdf pdf_icon

FCHD040N65S3

FCHD040N65S3MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET) III, Easy Drive,650 V, 65 A, 40 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeVDSS RDS(ON) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology is tailor

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History: B4N65 | WMLL020N08HGS

 

 
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