FCHD040N65S3 Todos los transistores

 

FCHD040N65S3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCHD040N65S3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: TO247AD

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FCHD040N65S3 datasheet

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FCHD040N65S3

FCHD040N65S3 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET) III, Easy Drive, 650 V, 65 A, 40 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge VDSS RDS(ON) MAX ID MAX balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailor

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History: 3400H | STW62NM60N

 

 

 

 

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