Справочник MOSFET. FCHD040N65S3

 

FCHD040N65S3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCHD040N65S3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO247AD
 

 Аналог (замена) для FCHD040N65S3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCHD040N65S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  onsemi
 fchd040n65s3.pdf pdf_icon

FCHD040N65S3

FCHD040N65S3MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET) III, Easy Drive,650 V, 65 A, 40 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeVDSS RDS(ON) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology is tailor

Другие MOSFET... FCD360N65S3R0 , FCD600N65S3R0 , FCH023N65S3 , FCH041N65F-F085 , FCH072N60F-F085 , FCH077N65F-F085 , FCH104N60F-F085 , FCH125N65S3R0 , IRF540N , FCHD125N65S3R0 , FCHD190N65S3R0 , FCMT099N65S3 , FCMT125N65S3 , FCMT180N65S3 , FCMT250N65S3 , FCP125N65S3R0 , FCP165N65S3 .

History: LNND04R120 | CTD03N8P5 | P4004ED

 

 
Back to Top

 


 
.