FCHD190N65S3R0 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCHD190N65S3R0
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 144 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Encapsulados: TO247AD
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FCHD190N65S3R0 datasheet
fchd190n65s3r0.pdf
FCHD190N65S3R0 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET) III, Easy Drive, 650 V, 17 A, 190 mW Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high www.onsemi.com voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tai
fchd125n65s3r0.pdf
FCHD125N65S3R0 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET) III, Easy Drive, 650 V, 24 A, 125 mW Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high www.onsemi.com voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tai
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History: 2N3382
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