Справочник MOSFET. FCHD190N65S3R0

 

FCHD190N65S3R0 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCHD190N65S3R0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO247AD
 

 Аналог (замена) для FCHD190N65S3R0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCHD190N65S3R0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  onsemi
 fchd190n65s3r0.pdf pdf_icon

FCHD190N65S3R0

FCHD190N65S3R0MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET) III, Easy Drive,650 V, 17 A, 190 mWDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tai

 9.1. Size:329K  onsemi
 fchd125n65s3r0.pdf pdf_icon

FCHD190N65S3R0

FCHD125N65S3R0MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET) III, Easy Drive,650 V, 24 A, 125 mWDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tai

Другие MOSFET... FCH023N65S3 , FCH041N65F-F085 , FCH072N60F-F085 , FCH077N65F-F085 , FCH104N60F-F085 , FCH125N65S3R0 , FCHD040N65S3 , FCHD125N65S3R0 , IRF640 , FCMT099N65S3 , FCMT125N65S3 , FCMT180N65S3 , FCMT250N65S3 , FCP125N65S3R0 , FCP165N65S3 , FCP165N65S3R0 , FCP190N60_GF102 .

History: APM6055NU | IRF7380Q

 

 
Back to Top

 


 
.