FCHD190N65S3R0 - описание и поиск аналогов

 

FCHD190N65S3R0. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCHD190N65S3R0

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO247AD

Аналог (замена) для FCHD190N65S3R0

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCHD190N65S3R0 даташит

 ..1. Size:318K  onsemi
 fchd190n65s3r0.pdf pdf_icon

FCHD190N65S3R0

FCHD190N65S3R0 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET) III, Easy Drive, 650 V, 17 A, 190 mW Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high www.onsemi.com voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tai

 9.1. Size:329K  onsemi
 fchd125n65s3r0.pdf pdf_icon

FCHD190N65S3R0

FCHD125N65S3R0 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET) III, Easy Drive, 650 V, 24 A, 125 mW Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high www.onsemi.com voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tai

Другие MOSFET... FCH023N65S3 , FCH041N65F-F085 , FCH072N60F-F085 , FCH077N65F-F085 , FCH104N60F-F085 , FCH125N65S3R0 , FCHD040N65S3 , FCHD125N65S3R0 , IRFP460 , FCMT099N65S3 , FCMT125N65S3 , FCMT180N65S3 , FCMT250N65S3 , FCP125N65S3R0 , FCP165N65S3 , FCP165N65S3R0 , FCP190N60_GF102 .

History: SIZ914DT | ELM34801AA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.