FCMT099N65S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCMT099N65S3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
Paquete / Cubierta: PQFN4-8X8-2P
Búsqueda de reemplazo de FCMT099N65S3 MOSFET
FCMT099N65S3 Datasheet (PDF)
fcmt099n65s3.pdf

FCMT099N65S3Power MOSFET, N-Channel,SUPERFET) III, Easy Drive,650 V, 30 A, 99 mWDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailored t
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History: BSZ060NE2LS | IRFN9130SMD05 | PDC4801R | SDD04N60 | NTLUS4930N | 2P308D9 | SUM110P06-07L
History: BSZ060NE2LS | IRFN9130SMD05 | PDC4801R | SDD04N60 | NTLUS4930N | 2P308D9 | SUM110P06-07L



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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