Справочник MOSFET. FCMT099N65S3

 

FCMT099N65S3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCMT099N65S3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: PQFN4-8X8-2P
 

 Аналог (замена) для FCMT099N65S3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCMT099N65S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:347K  onsemi
 fcmt099n65s3.pdf pdf_icon

FCMT099N65S3

FCMT099N65S3Power MOSFET, N-Channel,SUPERFET) III, Easy Drive,650 V, 30 A, 99 mWDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailored t

Другие MOSFET... FCH041N65F-F085 , FCH072N60F-F085 , FCH077N65F-F085 , FCH104N60F-F085 , FCH125N65S3R0 , FCHD040N65S3 , FCHD125N65S3R0 , FCHD190N65S3R0 , IRFZ44 , FCMT125N65S3 , FCMT180N65S3 , FCMT250N65S3 , FCP125N65S3R0 , FCP165N65S3 , FCP165N65S3R0 , FCP190N60_GF102 , FCP190N65S3R0 .

History: INK0103AC1 | IPP093N06N3 | HSP6040 | SSM9922GEO | HSP6016 | WST6003 | TPS1120

 

 
Back to Top

 


 
.