FCMT099N65S3 - описание и поиск аналогов

 

FCMT099N65S3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCMT099N65S3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: PQFN4-8X8-2P

Аналог (замена) для FCMT099N65S3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCMT099N65S3 даташит

 ..1. Size:347K  onsemi
 fcmt099n65s3.pdf pdf_icon

FCMT099N65S3

FCMT099N65S3 Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET) III, Easy Drive, 650 V, 30 A, 99 mW Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high www.onsemi.com voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tailored t

Другие MOSFET... FCH041N65F-F085 , FCH072N60F-F085 , FCH077N65F-F085 , FCH104N60F-F085 , FCH125N65S3R0 , FCHD040N65S3 , FCHD125N65S3R0 , FCHD190N65S3R0 , IRFZ44 , FCMT125N65S3 , FCMT180N65S3 , FCMT250N65S3 , FCP125N65S3R0 , FCP165N65S3 , FCP165N65S3R0 , FCP190N60_GF102 , FCP190N65S3R0 .

History: IVN5000ANF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.