FCMT099N65S3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FCMT099N65S3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
Тип корпуса: PQFN4-8X8-2P
Аналог (замена) для FCMT099N65S3
FCMT099N65S3 Datasheet (PDF)
fcmt099n65s3.pdf

FCMT099N65S3Power MOSFET, N-Channel,SUPERFET) III, Easy Drive,650 V, 30 A, 99 mWDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailored t
Другие MOSFET... FCH041N65F-F085 , FCH072N60F-F085 , FCH077N65F-F085 , FCH104N60F-F085 , FCH125N65S3R0 , FCHD040N65S3 , FCHD125N65S3R0 , FCHD190N65S3R0 , IRFZ44 , FCMT125N65S3 , FCMT180N65S3 , FCMT250N65S3 , FCP125N65S3R0 , FCP165N65S3 , FCP165N65S3R0 , FCP190N60_GF102 , FCP190N65S3R0 .
History: IRF6613 | 2SK1113 | DMN4060SVT
History: IRF6613 | 2SK1113 | DMN4060SVT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c