FCU600N65S3R0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCU600N65S3R0
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 54 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 11 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 10 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
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FCU600N65S3R0 Datasheet (PDF)
fcu600n65s3r0.pdf
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FCU600N65S3R0MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 6 A, 600 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailore
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